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OSM004
N沟道 耐压:12V 电流:15A
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- 描述
- 12V 15A N-MOS Rdson≤2.2mΩ@Vgs=4.5v
- 品牌名称
- orisilicon(矽源)
- 商品型号
- OSM004
- 商品编号
- C46034212
- 商品封装
- DFN-10(1.7x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
OSM004是一款应用于锂电池二次保护的双N沟道MOSFET,采用Trench工艺实现,结合PLP封装散热技术。 OSM004在栅源电压4.5 V时可实现2.2 mΩ的源 - 源导通阻抗, 极大的解决了手机快充电池的充放电问题。
商品特性
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低源 - 源道通电阻:R_{SS(on) type} = 2.2 mΩ @ V_{GS} = 4.5 V
- 共漏极的N + N器件
- 内置ESD保护:HBM2.0KV
- 正面散热片设计
- 尺寸: 3.13 mm x 1.65 mm
应用领域
- 电子烟、蓝牙耳机、GPS/北斗便携设备
- 手机、平板电脑、电动工具
- TYPE - C/QC快充
- 大容量锂电池的备用电源