- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
W25Q80RVSNJM
串行闪存存储器，支持标准SPI、双/四输出及双/四I/O SPI，具备灵活架构、先进安全特性、高性能和低功耗等特点
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W25Q80RVSNJM
- 商品编号
- C45927213
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 35uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | 15ms | |
| 页写入时间(Tpp) | 2ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 1.2s@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
W25Q80RV（8M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。该设备采用2.7V至3.6V单电源供电，掉电时电流消耗低至1µA。
W25Q80RV阵列由4096个可编程页面组成，每个页面256字节。一次最多可编程256字节。页面可以按16个一组（4KB扇区擦除）、128个一组（32KB块擦除）、256个一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q80RV分别有256个可擦除扇区和16个可擦除块。小的4KB扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。