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STGB20M65DF2

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属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)40A
功率(Pd)166W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)2V@15V,20A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)63nC
属性参数值
输入电容(Cies@Vce)-
开启延迟时间(Td(on))26ns
关断延迟时间(Td(off))108ns
导通损耗(Eon)0.14mJ
关断损耗(Eoff)0.56mJ
反向恢复时间(Trr)166ns
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

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