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MB85RC256VPNF-G-AMERE2
铁电随机存取存储器（FeRAM）带I2C接口
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- 描述
- 替代 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 C47538
- 商品型号
- MB85RC256VPNF-G-AMERE2
- 商品编号
- C45273903
- 商品封装
- SOP-8-150mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.774359克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
MB85RC256V是一款采用32,768字×8位配置的铁电随机存取存储器芯片，其非易失性存储单元采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成。与SRAM不同，该芯片无需使用数据备份电池即可保留数据。其非易失性存储单元的读写耐久性已提升至至少10^12次循环，在次数上显著优于其他非易失性存储器产品。此外，该芯片在写入存储器后无需像闪存或电可擦可编程只读存储器那样进行轮询序列。
商品特性
- 位配置：32,768字 × 8位
- 两线串行接口：完全可通过串行时钟和串行数据两个端口控制。
- 工作频率：1 MHz
- 读写耐久性：10^12次/字节
- 数据保持时间：10年、95年、超过200年
- 工作电源电压：2.7 V ~ 5.5 V
- 低功耗：工作电源电流200 μA，待机电流27 μA
- 工作环境温度范围：-40 °C ~ +85 °C
- 封装：8引脚塑料SOP，8引脚塑料SOP，两者均符合RoHS标准。