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2SB1184

PNP 电压:50V

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描述
特性:低VCE(sat):VCE(sat) = -0.5V(典型值) (IC / IB = -2A / -0.2A)。 与2SD1760 / 2SD1864互补
商品型号
2SB1184
商品编号
C45131717
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.48076克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)50V
耗散功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE)390
特征频率(fT)70MHz
属性参数值
集电极截止电流(Icbo)1uA
集射极饱和电压(VCE(sat))1V
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个PNP
配置独立式

商品特性

  • 低 VCE(sat)。VCE(sat) = -0.5 V(典型值)(IC / IB = -2 A / -0.2 A)
  • 与 2SD1760 / 2SD1864 互补。

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