S29GL256S90TFI010

GL-S闪存

描述: 采用65纳米工艺技术制造，提供快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: S29GL256S90TFI010
商品编号: C466848
商品封装: TSOP-56-18.5mm
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.62克(g)

商品参数

	属性	参数值
	待机电流	100uA
	擦写寿命	100000次
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位；电源锁定保护

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	-
	存储容量	256Mbit
	时钟频率(fc)	5MHz
	工作电压	2.7V~3.6V