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MB85RC1MTPNF-G-AMERE2
1M (128 K × 8) 位 I2C FeRAM
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- 描述
- FeRAM是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元的芯片，配置为131,072字 × 8位。与SRAM不同，它无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，显著优于其他非易失性存储产品。写入内存后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。
- 商品型号
- MB85RC1MTPNF-G-AMERE2
- 商品编号
- C44996836
- 商品封装
- SOP-8_150mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 1.8V~3.6V | |
| 工作电流 | 1.2mA | |
| 时钟频率(fc) | 3.4MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 120uA | |
| 睡眠模式电流(Izz) | 10uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 10000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 功能特性 | - |