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MB85RC1MTPNF-G-AMERE2
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- 描述
- FeRAM是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元的芯片，配置为131,072字 × 8位。与SRAM不同，它无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，显著优于其他非易失性存储产品。写入内存后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。
- 商品型号
- MB85RC1MTPNF-G-AMERE2
- 商品编号
- C44996836
- 商品封装
- SOP-8_150mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中