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MB85RC1MTPNF-G-AMERE2
1M (128 K × 8) 位 I2C FeRAM
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- 描述
- FeRAM是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元的芯片，配置为131,072字 × 8位。与SRAM不同，它无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，显著优于其他非易失性存储产品。写入内存后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。
- 商品型号
- MB85RC1MTPNF-G-AMERE2
- 商品编号
- C44996836
- 商品封装
- SOP-8_150mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.351003克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 1.8V~3.6V | |
| 工作电流 | 1.2mA | |
| 时钟频率(fc) | 3.4MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 120uA | |
| 睡眠模式电流(Izz) | 10uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 10000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 功能特性 | - |
商品概述
MB85RC1MT是一款铁电随机存取存储器芯片，采用131,072字×8位的配置，运用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术构成非易失性存储单元。与SRAM不同，该芯片无需数据备份电池即可保持数据。其非易失性存储单元的读写耐久性已提升至至少10¹³次，在次数上显著优于其他非易失性存储器产品。该芯片在写入存储器后无需像闪存或E²PROM那样进行轮询序列。
商品特性
- 位配置：131,072字 × 8位
- 两线串行接口：完全由两个端口控制：串行时钟和串行数据
- 工作频率：3.4 MHz（高速模式最大值），1 MHz（快速模式增强版最大值）
- 读写耐久性：10¹³次/字节
- 数据保持时间：10年（+85°C），95年（+55°C），超过200年（+35°C）
- 工作电源电压：1.8 V ~ 3.6 V
- 低功耗：工作电源电流0.71 mA（典型值@3.4 MHz），1.2 mA（最大值@3.4 MHz），待机电流15 μA（典型值），休眠电流4 μA（典型值）
- 工作环境温度范围：-40°C ~ +85°C
- 封装：8引脚塑料SOP 150mil，符合RoHS标准
应用领域
- 工业自动化
- 计量设备
- 数据记录仪
- 通信设备