D1611PM3BDGVIW-U

低功耗DRAM，支持自动温度补偿自刷新和双数据速率架构

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描述: 16GB 200 BALL LPDDR4 4266MHZ
品牌名称: Kingston(金士顿)
商品型号: D1611PM3BDGVIW-U
商品编号: C44942342
商品封装: FBGA-200(10x14.5)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	30mA
	刷新电流	3mA
	工作温度	-40℃~+95℃
	功能特性	自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；异步复位功能；数据掩码功能

商品概述

低功耗DRAM（LPDDR4 FBGA），有多种型号，包括D1611PM3BDGUI - U、D1611PM3BDGVIW - U等。芯片密度为16Gbits，组织形式为x16位（128M字x16位x8个存储体），32Gb情况下一个封装内有2个16Gb（x16）芯片。行地址范围为R0 ~ R16，列地址范围为C0 ~ C9。采用200球FBGA封装。电源供应方面，VDD1 = 1.8V（1.70V到1.95V），VDD2、VDDCA和VDDQ = 1.1V（1.06V到1.17V）。数据速率最大为4266Mbps，向后兼容。每个通道有8个内部存储体用于并发操作，突发长度（BL）为16、32且支持动态调整，通过MRS启用动态模式，可编程读取延迟（RL）和写入延迟（WL），每次突发访问有自动预充电选项，可编程驱动强度，支持自动刷新和自刷新，刷新周期为8192周期/32ms，平均刷新周期为3.9μs。工作温度范围有标准的-25°C到+85°C和工业温度的-40°C到+95°C。

商品特性

低功耗
按存储体刷新
部分阵列自刷新（PASR）
存储体屏蔽
分段屏蔽
通过内置温度传感器实现自动温度补偿自刷新（ATCSR）
支持所有存储体自动刷新和按存储体定向自动刷新
双倍数据速率架构，每个时钟周期进行两次数据传输
差分时钟输入（CK_t和CK_c）
双向差分数据选通（DQS_t和DQS_c）
在CK_t的上升沿和下降沿都可输入命令，数据和数据掩码参考DQS_t的两个边沿
支持DMI引脚用于写数据屏蔽和DBIdc功能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	LPDDR4 SDRAM
	时钟频率(fc)	2.133GHz
	存储容量	16Gbit
	工作电压	1.7V~1.95V；1.06V~1.17V