1ED21271S65FXUMA1

高侧栅极驱动器，带过流保护、多功能RCIN/Fault/Enable和集成自举二极管

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: 1ED21271S65FXUMA1
商品编号: C44904260
商品封装: PG-DSO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	12ns
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	270uA
	功能特性	使能关断；内置自举二极管；过流保护

商品概述

1ED21x7x系列是用于硅/碳化硅功率MOSFET和IGBT的高压、大电流、高速栅极驱动器。其浮动通道可用于驱动高侧或低侧配置中的硅/碳化硅功率MOSFET或IGBT，工作电压高达650V，输出电流为±4A，传播延迟小于100ns。基于英飞凌的SOI技术，该系列具有出色的鲁棒性和抗噪能力，能够在高达-100V的负瞬态电压下维持逻辑操作。过流保护和欠压锁定电路可检测被驱动功率晶体管中的过流/欠压情况，并终止栅极驱动电压。其提供开漏FAULT信号，用于指示已发生过流关断。

商品特性

采用英飞凌薄膜SOI技术
最大阻断电压+650V
输出源电流/灌电流+4A/-4A
最大电源电压25V
集成超快、低RDS(ON)自举二极管
负VS瞬态耐压100V
过流和电源欠压检测
带可编程故障清除时间的多功能RCIN/故障/使能引脚
传播延迟小于100ns
DSO-8封装
符合RoHS标准

应用领域

电机驱动
通用逆变器
叉车
轻型电动车

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	-
	上升时间(tr)	12ns