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TF4606
SOP-8封装N和P沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- N+P MOSFET产品，耐压：30V
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF4606
- 商品编号
- C44539472
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 398pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
TF4606采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关,以及众多其他应用。
商品特性
- N沟道
- VDS = 30V,ID = 6.9A
- 当VGS = 10V时,RDSON(典型值) < 19mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDSON(典型值) < 29mΩ
- P沟道
- VDS = -30V,ID = -6.0A
- 当VGS = -10V时,RDSON(典型值) < 42mΩ
- 当VGS = -4.5V时,RDSON(典型值) < 58mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装