- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 78pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30V
- 当栅源电压(VGS)=-10V、漏极电流(ID)=-4.1A时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 60mΩ
- 当栅源电压(VGS)=-4.5V、漏极电流(ID)=-3A时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 80mΩ
- 我们声明,产品材料符合RoHS要求且无卤。
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件。
应用领域
- 先进的沟槽技术
- 该器件适用于作为负载开关或用于脉冲宽度调制(PWM)应用。