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ZABG6004JA16TC实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZABG6004JA16TC

停产 ZABG6004JA16TC

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品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZABG6004JA16TC
商品编号
C460111
商品封装
QFN-16-EP(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.025克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

ZABG6004是一种先进的GaAs和HEMT FET偏置控制器,设计用于从最小的电源轨工作,主要用于卫星低噪声模块(LNB)。通过添加一个电容和两个电阻,ZABG6004可以为多达6个外部接地源FET提供漏极电压和电流控制。它能够在2.1V至5V的单电源下工作,并生成FET栅极偏置所需的调节负电源轨。-2V的负偏置也可用于供给其他外部电路。在ZABG6004上设置漏极电流使用两个电阻,漏极电流控制分为两组,一组两个FET,另一组四个FET。这样可以调整输入FET的工作电流以最小化噪声,同时后续的FET级可以调整以实现最大增益。

商品特性

  • 为多达6个GaAs和HEMT FET提供偏置
  • 工作电压范围2.1V至5V
  • 超低工作电流1.1mA
  • 动态FET保护
  • 放大器FET漏极电流可选(4mA至15mA)
  • 受调节的负轨生成器仅需1个外部电容
  • 扩展温度范围-40°C至+105°C
  • U-QFN3030-16(Type B)和QSOP-20表面贴装封装
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和无锑。“绿色”器件

应用领域

  • 低功耗LNB
  • 数字LNB
  • IP LNB
  • 双LNB和四LNB
  • 通用LNA偏置

数据手册PDF