D2516AN9EXGXN-TU
D2516AN9EXGXN-TU
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- 描述
- 4Gb 96 ball FBGA DDR4
- 品牌名称
- Kingston(金士顿)
- 商品型号
- D2516AN9EXGXN-TU
- 商品编号
- C43963639
- 商品封装
- FBGA-96(7.5x13.5)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
容量：4G位 组织形式：32M字×16位×8个存储体 封装：96球FBGA，无铅，无卤 电源供应（JEDEC标准1.2V）：VDD = 1.2V ± 0.06V，VPP = 2.5V +0.25V / -0.125V 数据速率：最大3200Mbps，向后兼容 内部存储体数量：8个 x16产品的存储体分布：8个存储体（4个存储体×2个存储体组） 接口：伪开漏（POD） 突发长度（BL）：8和4（带突发分割（BC）） 列地址选通潜伏期（CL）：10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、24 列地址选通写潜伏期（CWL）：9、10、11、12、14、16、18、20 预充电：每次突发访问可选择自动预充电 刷新：自动刷新、自刷新 刷新周期：平均刷新周期在0°C ≤ TC ≤ +85°C时为7.8μs，在+85°C < TC ≤ +95°C时为3.9μs 工作外壳温度范围：0°C至+95°C
商品特性
- 双倍数据速率架构：每个时钟周期进行两次数据传输。
- 通过8位预取流水线架构实现高速数据传输。
- 双向差分数据选通信号（DQS和/DQS）与数据一起发送/接收，用于在接收器处捕获数据。
- 读操作时DQS与数据边缘对齐；写操作时DQS与数据中心对齐。
- 差分时钟输入（CK_t和CK_c）。
- DLL使DQ和DQS转换与CK转换对齐。
- 数据掩码（DM）在数据选通信号的上升沿和下降沿写入数据。
- 支持写周期冗余码（CRC）。
- 支持可编程的读写前导码。
- 支持可编程突发长度4/8，具有半字节顺序和交错模式。
- 支持动态突发长度切换。
- 驱动器强度由模式寄存器设置（MRS）选择。
- 支持动态片上终端（Dynamic On Die Termination）。
- 可通过ODT引脚切换两种终端状态，如RTT PARK和RTT_NOM。
- 支持异步复位引脚。
- 支持ZQ校准。支持写电平校准。
- 本产品符合RoHS指令。
- 可生成内部Vref DQ电平。
- 支持温度控制自动刷新（TCAR）模式。
- 支持低功耗自动自刷新（LP ASR）模式。
- 支持命令地址（CA）奇偶校验（命令/地址）模式。
- 支持每个DRAM地址可寻址性（PDA）。
- 支持精细粒度刷新。
- 支持降速模式（1/2速率、1/4速率）。
- 支持自刷新中止。
- 支持最大节能模式。
- 采用存储体分组，可设置同一或不同存储体组访问时列地址选通到列地址选通的潜伏期（tCCD_L，tCCD_S）。
- DMI引脚支持写数据掩码和DBldc功能。