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2N7002KHE3-TPAU
N沟道沟槽式中压MOSFET
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 ESD防护高达2KV（HBM）。 沟槽MV MOSFET技术。 湿度敏感度等级1。 无卤。“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级。 无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- 2N7002KHE3-TPAU
- 商品编号
- C43942562
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 880pC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
应用领域
- 标准应用：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。