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KNY3406C
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A 停产
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- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNY3406C
- 商品编号
- C455987
- 商品封装
- PDFN-8(5.8x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源导通电阻 [RDS(ON)] 典型值：在栅源电压 (VGS) 为 10 V 时为 7.0 mΩ
- 超低栅极电荷
- 出色的 Cdv/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源 (UPS)