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KIA50N03BD
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 50A，30V，RDS(on)典型值 = 6.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 快速开关。 改善的dv/dt能力
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA50N03BD
- 商品编号
- C455976
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.487克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 全面表征的雪崩电压和电流
- 50A、30V，RDS(on) 典型值 = 6.5mΩ（典型值）@VGS = 10V
- 低栅极电荷
- 低 Crss
- 快速开关
- 改进的 dv/dt 能力