TP65H035G4WS

TP65H035G4WS

描述

650V、35nΩ氮化镓 (GaN) FET是一款常关器件，采用了Renesas的第四代平台。它将先进的高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合，以提供卓越的可靠性和性能。第四代SuperGaN平台采用先进的外延和专利设计技术，简化了可制造性，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷，提高了相对于硅的效率。

品牌名称

RENESAS(瑞萨)/IDT

商品型号

TP65H035G4WS

商品编号

C43694908

商品封装

TO-247​

包装方式

袋装

商品毛重

1克(g)