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TP65H035G4WS
650V SuperGaN FET
- 描述
- 650V、35nΩ氮化镓 (GaN) FET是一款常关器件，采用了Renesas的第四代平台。它将先进的高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合，以提供卓越的可靠性和性能。第四代SuperGaN平台采用先进的外延和专利设计技术，简化了可制造性，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷，提高了相对于硅的效率。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- TP65H035G4WS
- 商品编号
- C43694908
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 147pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ |
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