耐压:650V 电流:74A
- 1+: ¥17.93 / 个
- 10+: ¥15.83 / 个
- 30+: ¥11.82 / 个 (折合1管354.6元)
- 100+: ¥10.48 / 个 (折合1管314.4元)
- 500+: ¥9.87 / 个 (折合1管296.1元)
- 1000+: ¥9.61 / 个 (折合1管288.3元)
1+: |
¥17.93 / 个 |
10+: |
¥15.83 / 个 |
30+: |
¥11.82 / 个 (折合1管354.6元) |
100+: |
¥10.48 / 个 (折合1管314.4元) |
500+: |
¥9.87 / 个 (折合1管296.1元) |
1000+: |
¥9.61 / 个 (折合1管288.3元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | IGBT管/模块 | |
IGBT类型 | - | |
集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
集电极电流(Ic) | 74A | |
功率(Pd) | 250W | |
正向压降(Vf@If) | 1.45V@20A | |
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) | 1.65V@40A,15V | |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 4V@400uA | |
栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 95nC@40A,15V | |
输入电容(Cies@Vce) | 2.5nF@25V | |
开启延迟时间(Td(on)) | 22ns | |
关断延迟时间(Td(off)) | 165ns | |
导通损耗(Eon) | 0.39mJ | |
关断损耗(Eoff) | 0.12mJ | |
反向恢复时间(Trr) | 62ns | |
工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |