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HCW65R380_Green
HCW65R380_Green
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- 品牌名称
- SemiHow
- 商品型号
- HCW65R380_Green
- 商品编号
- C3975070
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.79克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 91W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@370uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 990pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
该器件专为蜂窝手机及其他超便携式应用中的升压拓扑设计，采用单封装解决方案。其特点是MOSFET具有低输入电容、低总栅极电荷和低导通电阻。独立连接的肖特基二极管具有低正向电压和低反向漏电流，可最大限度提高升压效率。 MicroFET 1.6x1.6 Thin封装在其物理尺寸下具有出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
商品特性
- 栅源电压 = 4.5 V、漏极电流 = 1.6 A时，最大漏源导通电阻 = 299 mΩ
- 栅源电压 = 2.5 V、漏极电流 = 1.3 A时，最大漏源导通电阻 = 410 mΩ
- 薄型设计：新型MicroFET 1.6x1.6 Thin封装最大厚度为0.55 mm
- 不含卤化化合物和氧化锑
- 人体模型（HBM）静电放电保护等级 > 1600 V
- 符合RoHS标准
应用领域
-升压功能
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