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XJNG2103
高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片
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- 描述
- XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达200V。采用SOP8封装，可以在-40°C 至 125°C 温度范围内工作。
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- XJNG2103
- 商品编号
- C43244363
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1A | |
| 拉电流(IOH) | 1A | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 50ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 190uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
XJNG2103 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片，具备独立的高侧和低侧参考输出通道。该芯片采用高低压兼容工艺，将高、低侧栅驱动电路集成于单芯片。其逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出级具备大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮地通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，最高工作电压可达 200V。XJNG2103 采用 SOP8 封装，工作温度范围为 -40℃ ~ 125℃。
商品特性
- 支持自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为 +200V
- 兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑
- dVs/dt 耐受能力可达 ±50V/ns
- Vs 负偏压能力达 -9V
- 栅极驱动电压范围从 5V 到 20V
- 集成欠压锁定电路
- 防直通死区逻辑
- 芯片传输延时特性
- 宽温度范围 -40℃ ~ 125℃
- 输出级拉电流/灌电流能力为 1A/1A
- 符合 RoSH 标准，采用 SOP8 封装
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动