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G120N02D32
双N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N+N沟道@@漏源电压(Vdss)：20V@@连续漏极电流(Id)：26A@@阈值电压(Vgs(th))：1.2V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：8.5mΩ@4.5V 11mΩ@2.5V @@封装：DFN-8L(3x3) Dual
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G120N02D32
- 商品编号
- C43213314
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 235pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
G120N02D32采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS:20V
- ID(VGS = 10V时):26A
- RDS(ON)(VGS = 4.5V时)< 11 mΩ
- RDS(ON)(VGS = 2.5V时)< 14 mΩ
- RDS(ON)(VGS = 1.8V时)< 23 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器