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PSMN1R4-100ASEJ
商品参数
参数完善中
商品概述
采用CCPAK1212封装的N沟道增强型MOSFET，工作温度可达175°C。属于安世半导体用于热插拔和软启动的特定应用MOSFET（ASFET）系列。PSMN1R4 - 100ASE在高可靠性铜夹封装（CCPAK1212）中实现了极低的导通电阻RDSon和增强的安全工作区性能。 PSMN1R4 - 100ASE与最新的“热插拔”控制器相匹配，具备足够的鲁棒性以承受开启时的大量浪涌电流，低导通电阻RDSon可将I²R损耗降至最低，并在完全导通时实现最佳效率。
商品特性
- 全面优化的安全工作区（SOA），实现卓越的线性模式操作
- 低导通电阻RDSon，降低I²R传导损耗
- CCPAK1212封装，适用于对性能和可靠性要求极高的应用
- CCPAK1212是JEDEC注册封装，适用于公开市场和第二货源兼容性
应用领域
- 热插拔
- 负载开关
- 软启动
- 电子保险丝
- 基于48 V背板/电源轨的电信系统
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