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NTBL023N065M3S引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTBL023N065M3S

碳化硅MOSFET,具备低栅极电荷和高速开关特性,符合RoHS标准

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTBL023N065M3S
商品编号
C42862682
商品封装
H-PSOF-8L​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)77A
耗散功率(Pd)312W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)69nC
输入电容(Ciss)1.95nF
反向传输电容(Crss)13pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)152pF
导通电阻(RDS(on))32.6mΩ

商品特性

  • 典型 RDS(on) = 23 mΩ @ VGS = 18 V
  • 超低栅极电荷 (Q_G(tot) = 69 nC)
  • 具有低电容 (C_oss = 152 pF) 的高速开关性能
  • 100% 雪崩测试
  • 该器件为无卤化物且符合 RoHS 豁免 7a 标准,采用无铅 2LI(二级互连)工艺

应用领域

  • 开关模式电源
  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源
  • 能源存储
  • 基础设施

数据手册PDF