ERA-2VEB76R8X
76.8Ω ±0.1% 100mW 薄膜电阻
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- 品牌名称
- PANASONIC(松下)
- 商品型号
- ERA-2VEB76R8X
- 商品编号
- C3913756
- 商品封装
- 0402
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 贴片电阻 | |
| 电阻类型 | 薄膜电阻 | |
| 阻值 | 76.8Ω | |
| 精度 | ±0.1% |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率 | 100mW | |
| 温度系数 | ±25ppm/℃ | |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ |
商品特性
- 高功率：实现比现有产品更高的额定功率、限制元件电压和最大过载电压
- 高可靠性：在高温高湿环境下性能稳定（85°C、85%相对湿度额定负载，工作温度范围：-55°C ~ +155°C）
- 高精度：低电阻公差和电阻温度系数
- 高性能：低电流噪声，出色的线性度
- 抗静电放电：采用独特结构实现高ESD性能（AEC - Q200 - 002人体模型1c级及以上）
- 抗硫化：采用独特结构实现抗硫化性能
- 参考标准：IEC 60115 - 6、JIS C 5201 - 8、JEITA RC - 2133C
- 符合RoHS标准
- ERA-8AEB5110V
- D55342H07B1H20RWS
- RN73H1JTTD58R3B10
- SM4124FT140R
- RN732BTTD1841B10
- RN732ATTD7150C50
- MCU0805MD5621BP500
- WK73R2JTTE1400F
- CRCW0603100KJNTA
- M55342E06B9B09RWP
- PTN1206E1043BST1
- RN731JTTD8251B10
- HV73V2ATTD2104F
- M55342K02B96B5RWS
- WSR5R0160FEA
- TNPW121012K0BEEN
- CR0805-10W-271JT
- SG73S1ETTP1131D
- RN73H1ETTP7321C10
- RN731JTTD1170B10
- RS73G1JTTD4990B