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1EDI3038ASXUMA1
单通道隔离SiC-MOSFET驱动器
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 1EDI3038ASXUMA1
- 商品编号
- C42654845
- 商品封装
- PG-DSO-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.1825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 隔离电压(Vrms) | 5700V | |
| 负载类型 | SiC | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 15A | |
| 灌电流(IOL) | 15A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 上升时间(tr) | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 45ns | |
| 传播延迟 tpLH | 60ns | |
| 传播延迟 tpHL | 60ns | |
| 输入高电平(VIH) | 2V~5.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 0V~0.8V | |
| 静态电流(Iq) | 5mA | |
| CMTI(kV/us) | 150kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 13.5V~20V | |
| 功能特性 | 米勒钳位保护；死区时间控制；饱和故障检测 |
商品概述
1EDI3038AS是一款高压电气隔离的SiC-MOSFET栅极驱动器，专为高压汽车应用而设计。该器件基于无芯变压器技术，在低压域和高压域之间提供8 kV的电气隔离。该IC支持高达1200 V的SiC-MOSFET。器件具有强大的输出级，峰值电流高达15 A，适用于高功率开关。分离式输出级允许通过独立的栅极电阻为开通和关断设置不同的转换速率。低压域支持5 V和3.3 V逻辑电平。在高压域，它可以直接驱动SiC-MOSFET的栅极。仅60 ns的短传播延迟和150 ns的最小脉冲宽度支持高开关频率，并使PWM信号失真最小。去饱和保护与可配置的外部软关断功能相结合，可防止SiC-MOSFET在短路事件中损坏。集成的高达10 A的有源米勒钳位级允许SiC-MOSFET采用单极性电源供电。该器件具有一个DATA接口，可通过PWM信号提供详细的错误诊断。大量集成的安全相关功能简化了符合ASIL D标准的系统设计。初级侧的安全输入控制着系统向安全状态的转换。此外，该器件还提供一个次级侧有源短路引脚，以触发从次级侧进入安全状态。
商品特性
- 采用无芯变压器技术的电气隔离SiC-MOSFET栅极驱动器
- 适用于高达1200 V SiC-MOSFET的单通道驱动器
- 低传播延迟，典型值60 ns
- 分离式输出TON和TOFF，用于独立的开通和关断转换速率
- 集成升压器，峰值电流高达15 A，轨到轨输出
- 集成有源米勒钳位，支持单极性开关
- 可配置的外部软关断功能
- CMTI高达150 V/ns，支持高达±1200 V
- 根据DIN EN IEC 60747-17标准，增强绝缘，8 kV峰值
- 根据UL 1577标准，5.7 kV rms绝缘
- 次级侧有源短路引脚
- 集成安全功能，支持高达ASIL B等级：初级侧和次级侧ASC的安全引脚、包含BIST的超快速去饱和保护、栅极监控和输出级监控、带集成超时功能的直通保护、初级电源欠压锁定监控、次级电源VCC2的过压和欠压锁定监控以及VEE2的欠压锁定监控
- 用于通过PWM信号进行详细错误诊断的DATA接口
- 兼容3.3 V和5 V的I/O逻辑电源
- 符合ISO 26262标准，适用于安全要求高达ASIL B的安全要素脱离上下文
- 绿色产品
应用领域
- 混合动力和电动汽车的牵引逆变器
- 混合动力和电动汽车的辅助逆变器
- 混合动力和电动汽车的高功率、高安全性的车载充电器
- 高功率、高安全性的DC/DC转换器