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FP200R12N3T7
1.2kV 200A
- 描述
- 特性：电气特性。 VCES = 1200 V。 ICnom = 200 A / ICRM = 400 A。 沟槽栅 IGBT7。 过载操作达 175℃。 低 VCESat。应用：辅助逆变器。 电机传动
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FP200R12N3T7
- 商品编号
- C42547889
- 商品封装
- 插件,122x62.5mm
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 366.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 200A | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 400A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V@200A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.15V@4.6mA | |
| 输入电容(Cies) | 40.3nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 开启延迟时间(Td(on)) | 203ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 351ns | |
| 导通损耗(Eon) | 25.1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 12.9mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 0.14nF |
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