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FP200R12N3T7
1.2kV 200A
- 描述
- 特性：电气特性。 VCES = 1200 V。 ICnom = 200 A / ICRM = 400 A。 沟槽栅 IGBT7。 过载操作达 175℃。 低 VCESat。应用：辅助逆变器。 电机传动
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FP200R12N3T7
- 商品编号
- C42547889
- 商品封装
- 插件,122x62.5mm
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 366.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 200A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 400A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 20uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V@200A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.15V@4.6mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.34uC@600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 40.3nF | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 140pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 203ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 351ns | |
| 导通损耗(Eon) | 25.1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 12.9mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 电气特性：集电极-发射极电压 V_CES = 1200V，额定集电极电流 I_Cnom = 200A / 重复峰值集电极电流 I_CRM = 400A
- 机械特性：集成NTC温度传感器
- 机械特性：焊接技术
- 机械特性：铜基板
- 机械特性：低热阻的三氧化二铝 Al₂O₃ 衬底