温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
OSM45N10
100V、45A N沟道MOSFET
- 描述
- 100V 45A N-MOS Rdson≤20mΩ@Vgs=10v
- 品牌名称
- orisilicon(矽源)
- 商品型号
- OSM45N10
- 商品编号
- C42464484
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.1812克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 540pF |
商品概述
OSM45N10是一款在栅源电压10V时可实现14 mΩ导通阻抗,45A持续电流的100V N沟道MOS器件。 OSM45N10具有低栅极电荷,低栅极电压和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM控制等应用场景。 OSM45N10采用TO-252和TO-263封装。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 45A
- RSS（开启状态）类型 = 14 毫欧，当 VGS = 10V 时
- 超低导通电阻
- 低栅极电荷
- 高电流能力
- TO-252 和 TO-263 封装
应用领域
- 电信及工业自动化中的电源管理
- 电动工具、电动汽车、机器人技术中的电机驱动
- 直流/直流及交流/直流（开关型）子系统中的电流切换
其他推荐
- FGG-OB
- LPJE108-0AHNL
- MD-P-257
- AB03A0100001649A
- AB03A0100001515A
- AB03A0100001443A
- AB03A0100001161A
- AB03A0100000886A
- AB03A0100001096A
- AB03A0100000167A
- AB03A0100001005A
- AB03A0100000984A
- AB03A0100000975A
- AB03A0100000906A
- AB03A0100000822A
- AB03A0100000795A
- AB03A0100000027A
- AB03A0100000718A
- AB03A0100000705A
- AB03A0100000644A
- AB03A0100000601A