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OSM4N90SJ
900V、4A N沟道SGT MOSFET
- 描述
- 900V 4A SGT N-MOS Rdson≤1.4Ω@Vgs=10v
- 品牌名称
- orisilicon(矽源)
- 商品型号
- OSM4N90SJ
- 商品编号
- C42464481
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3742克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@150uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
OSM4N90SJ是一款在栅源电压10V时可实现最大1.4Ω导通阻抗,4A持续电流的900VN沟道SGT MOS器件。 OSM4N90SJ具有低栅极电荷,低栅极电压,和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM控制等应用场景。 OSM4N90SJ采用TO-252和TO-220-FB封装。
商品特性
- VDS = 900 V，ID = 4A
- 在 VGS = 10 V时，RSS（开启状态）类型电阻值 ≤ 1.4 欧姆
- 具有快速开关能力
- 指定雪崩能量
- 提高了 dv/dt 能力，具有高坚固性
- TO-252 和 TO-220-FB 封装
应用领域
- 电信及工业自动化中的电源管理
- 电动工具、电动汽车、机器人技术中的电机驱动
- 直流/直流及交流/直流（开关型）子系统中的电流切换
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