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OSM3N90
900V、3A N沟道MOSFET
- 描述
- 900V 3A N-MOS Rdson≤6.7Ω@Vgs=10v
- 品牌名称
- orisilicon(矽源)
- 商品型号
- OSM3N90
- 商品编号
- C42464447
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7Ω@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 401pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品概述
OSM3N90 是一款在栅源电压 10V 时可实现最大 6.7Ω 导通阻抗, 3A 持续电流的 900V N 沟道 MOS 器件。 OSM3N90 具有低栅极电荷,低栅极电压,和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM 控制等应用场景。 OSM3N90 采用 TO-252 封装。
商品特性
- VDS = 900 V，ID = 3A
- 在 VGS = 10 V时，RSS（开启）类型阻值 ≤ 6.7 欧姆
- 具有快速开关能力
- 指定雪崩能量
- 提高了 dv/dt 能力，具有高坚固性
- TO-252 封装
应用领域
- 电信及工业自动化中的电源管理
- 电动工具、电动汽车、机器人技术中的电机驱动
- 直流/直流及交流/直流（开关型）子系统中的电流切换