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OSM7N65A
N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 650V 7A N-MOS Rdson≤1.4Ω@Vgs=10v
- 品牌名称
- orisilicon(矽源)
- 商品型号
- OSM7N65A
- 商品编号
- C42464446
- 商品封装
- TO-220-FB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8751克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
是一款在栅源电压10V时可实现最大导通阻抗，7A持续电流的650VN沟道MOS器件。具有低栅极电荷，低栅极电压，和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM控制等应用场景。采用TO-220-FB封装。