温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
OSM7N65A
N沟道 耐压:650V 电流:7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 650V 7A N-MOS Rdson≤1.4Ω@Vgs=10v
- 品牌名称
- orisilicon(矽源)
- 商品型号
- OSM7N65A
- 商品编号
- C42464446
- 商品封装
- TO-220-FB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8751克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
OSM7N65 是一款在栅源电压 10V 时可实现最大 1.7Ω 导通阻抗,7A 持续电流的 650V N 沟道 MOS 器件。 OSM7N65 具有低栅极电荷,低栅极电压,和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM 控制等应用场景。 OSM7N65 采用 TO - 220 - FB 封装。
商品特性
- VDS = 650V，ID = 7A
- 在 VGS = 10 V时，RSS（开启状态）类型下的电阻值 ≤ 1.7 欧姆
- 具有快速开关能力
- 指定的雪崩能量
- 提高的 dv/dt 能力，高坚固性
- TO - 220 - FB 封装
应用领域
- 电信及工业自动化中的电源管理
- 电动工具、电动汽车、机器人技术中的电机驱动
- 直流/直流及交流/直流（开关型）子系统中的电流切换