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OSM4N90SJ
900V、4A N沟道SGT MOSFET
- 描述
- 900V 4A SGT N-MOS Rdson≤1.4Ω@Vgs=10v
- 品牌名称
- orisilicon(矽源)
- 商品型号
- OSM4N90SJ
- 商品编号
- C42464445
- 商品封装
- TO-220FB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.0248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@150uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |