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SP010N01AGHTO
100V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：快速开关。 低栅极电荷和导通电阻。 先进的分裂栅沟槽技术。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用：PWM应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP010N01AGHTO
- 商品编号
- C42460868
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 430A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 465W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 218nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.142nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 353pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.288nF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术