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SVGP159R3NL5ATR
N沟道 耐压:150V 电流:87A
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- 描述
- SVGP159R3NL5A(L5) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVGP159R3NL5ATR
- 商品编号
- C42459735
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.224075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 87A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 142W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 710pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |