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E080N8P7AH1
1个N沟道，80V，81A，8.7mΩ@10V
- 描述
- 1个N沟道，80V，81A，8.7mΩ@10V
- 品牌名称
- Existar(毅芯达)
- 商品型号
- E080N8P7AH1
- 商品编号
- C42458853
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 81A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.85V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
XR10G10S 是高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XR10G10S 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100% 保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 出色的 dv/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术