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SI4101DY-T1-GE3(ES)
应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- P沟道，-30V,，-12.4A，7.5mΩ@-10V,-12A，-1.4V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SI4101DY-T1-GE3(ES)
- 商品编号
- C42444331
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.76nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 267pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 323pF |
商品概述
SI4101DY-T1-GE3(ES)采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品SI4101DY-T1-GE3(ES)无铅。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = -10V时，-30V漏源导通电阻（RDS(ON)） = 7.5 mΩ（典型值）
- 在栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 9.5 mΩ（典型值）
- 快速开关
- 采用高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换