温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WGA65R041W
650V N沟道COOLMOS
- 描述
- 这是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，为线路提供更高的效率。可快速应用于新的和现有的离线电源设计中
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGA65R041W
- 商品编号
- C42442057
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.388889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 172nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.715nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- DC/DC转换器
相似推荐
其他推荐