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WGA80N65W
650V N沟道功率MOSFET
- 描述
- 这是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，为线路提供更高的效率。可快速应用于新的和现有的离线电源设计中
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGA80N65W
- 商品编号
- C42442056
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.388889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 520W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 520pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.7nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的平面技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 易于并联使用
- 无与伦比的栅极电荷:Qg =(典型值:260nC)
- VDSS = 650V,ID = 80A
- RDS(on):42mΩ(最大值)@VG = 10V
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
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