温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LM-2N7002
60V N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- LM-2N7002
- 商品编号
- C42431732
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
LM-2N7002采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V D S = 60V,I D = 0.3A
- R D S (ON) < 3Ω(V G S = 10V时)
- 静电放电等级:人体模型(HBM)\geqslant 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
其他推荐
- LM-GSOT03C
- LM-SMC36
- LM-PJGBLC03
- LM-ESD7351HT1G
- LM-SP4020-01FTG
- LM-ESDLC3V3D3
- LM-SELC03
- LM-LM61089B
- SH-6X6X9H-TP
- SH-TS-1185-2P-160gf
- SH-TS-1187-16-160gf
- SH-TS-1187-16-250gf
- SH-TS-1187-17-160gf
- SH-TS-1187-17-250gf
- SH-TS-1187-20-160gf
- SH-TS-1187-20-250gf
- SH-TS-1187-40-250gf
- GC-ljd-8090
- GC-ljd-1012
- GC-dz3045
- PZ2.54V-1102P-H25