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YFW120N04AD
40V N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 特性：低导通电阻：典型值为 2.5 mΩ（VGS = 10V）。高电流处理能力：ID 可达 120A。低栅极电荷：Qg 典型值为 22.7 nC。应用：电池保护
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW120N04AD
- 商品编号
- C42429548
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4692克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.648nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 899pF |
商品概述
CMSC20DP02采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关应用。
商品特性
~~- 双P沟道MOSFET-低导通电阻-表面贴装封装-符合RoHS标准
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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