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K3080K
N沟道MOSFET
- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻Rds(on)。 完全表征雪崩电压和电流。 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和均匀性良好。 出色的封装，利于散热。应用：负载开关。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- K3080K
- 商品编号
- C42429361
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476648克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 235pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品特性
- 用于超低导通电阻(Rdson)的高密度单元设计
- 雪崩电压和电流经过全面特性表征
- 高单脉冲雪崩能量(EAS)下稳定性和一致性良好
- 散热性佳的优质封装
应用领域
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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