商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道；2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A；5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W；2.6W |
商品概述
APM4953采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -5.3A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 42 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 85 mΩ
应用领域
- 脉宽调制(PWM)应用
- 负载开关
- 双P沟道MOSFET