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OSPH16N65
N沟道 耐压:650V 电流:16A
- 描述
- 特性：快速开关速度。高输入阻抗和低电平驱动。雪崩能量测试。提高 dv/dt 能力,高耐用性。应用：高效率开关电源。功率因数校正
- 品牌名称
- OSEN(欧芯)
- 商品型号
- OSPH16N65
- 商品编号
- C42418253
- 商品封装
- TO-262F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.231克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 快速开关速度
- 高输入阻抗和低电平驱动
- 经过雪崩能量测试
- 改善 dv/dt 能力,高耐用性
应用领域
- 高效率开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器