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BSS138DW实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS138DW

2个N沟道 耐压:55V 电流:300mA

描述
N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别调整,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品型号
BSS138DW
商品编号
C42415543
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.031433克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@10V
耗散功率(Pd)280mW
阈值电压(Vgs(th))1.1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)1.1nC@10V
输入电容(Ciss)30.6pF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)5.5pF

数据手册PDF

优惠活动

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