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BSS138DW
2个N沟道 耐压:55V 电流:300mA
- 描述
- N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别调整，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- BSS138DW
- 商品编号
- C42415543
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 30.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.5pF |
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 50V、0.3A,VGS = 10V 时,RDS(ON) = 1.2Ω
- 改善了 dv/dt 能力
- 快速开关
- 有环保器件可选
- 内置 G-S ESD 保护二极管
- ESD 保护能力高达 2KV
应用领域
- 电机驱动
- 电动工具
- LED 照明
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