IXTH110N10L2-VB
IXTH110N10L2-VB
- 描述
- TO247；N—Channel沟道,100V；72A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款具有高性能和可靠性的单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电子模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IXTH110N10L2-VB
- 商品编号
- C42412867
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定值 (UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光镇流器照明-工业领域