NSG2067Q

集成LD0和BUCK的三相栅极驱动芯片，可驱动MOSFET或IGBT，具备防直通和欠压锁定功能，优化外围电路

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品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: NSG2067Q
商品编号: C42411898
商品封装: QFN-28(5x5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.309714克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	15ns
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	500uA
	功能特性	内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制

商品概述

NSG2067Q是一款集成了三相高压栅极驱动器、LDO和BUCK转换器的芯片，能够同时驱动高侧和低侧的MOSFET或IGBT功率晶体管。其浮动通道驱动设计可承受高达250V的总线电压。该芯片提供强大的驱动能力，输出拉电流和灌电流能力分别为1A和1.2A。内部集成的防直通和死区时间电路可防止两个晶体管同时导通，从而降低开关损耗。欠压锁定功能确保在供电电压不足时，两个驱动器输出均为低电平。芯片内置的高压BUCK电路可将高达250V的输入电压转换为12.5V的VCC电压，为栅极驱动电路供电。同时，集成的LDO可将VCC进一步降压至5V或3.3V，为微控制器供电，从而优化外围电路设计。

商品特性

栅极驱动器特性：采用自举工作的浮动通道
最高工作电压可达250 V
dVs/dt耐受能力可达±50 V/ns
Vs负偏压能力达-9V
两个信道匹配传播延迟
栅极驱动电压范围5V至20V
输入输出同相位
芯片开通与关断延迟时间典型值为150 ns / 150 ns，高低侧延迟匹配
集成防直通保护，内部固定死区时间为250 ns
具备高侧和低侧欠压锁定功能
输出拉电流和灌电流能力分别为1A和1.2A
集成自举二极管
LDO特性：输出电压可选5V或3.3V
最大负载电流70 mA
BUCK特性：最高耐受电压250 V
输出电压12.5 V
最高开关频率300 kHz
输出电流能力可通过限流电阻Rcs调节，限流阈值约为60 mV / Rcs

应用领域

电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边；三相
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	-
	灌电流(IOL)	1.2A
	拉电流(IOH)	1A
	工作电压	5V~20V
	上升时间(tr)	40ns