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TPM6052PK3
P沟道增强型场效应晶体管
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM6052PK3
- 商品编号
- C42407112
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45261克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 535pF | |
| 输出电容(Coss) | 719pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS):-60V
- 漏极电流(IDS):-50A
- 导通电阻[RDS(ON)](VGS = -10V时)<20mΩ(典型值)
应用领域
- 反接电池保护
- 负载开关
- 电源管理
- 脉宽调制(PWM)应用