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PJM04P30SQ
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
- 描述
- P沟道，VDS=-30V ID=-4.1A ,PD:1.3W RDS(ON)<65mΩ@Vgs=-10V.
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM04P30SQ
- 商品编号
- C42405714
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.095克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 采用散热性能良好的封装
- 在 VGS = -10 V 时,RDS(on)< 65 m Ω
- SOT - 89 封装
应用领域
- 电源开关应用