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INN150EQ032A
*半导体*晶体管
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- 描述
- 基于硅的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT),采用尺寸为 4.0 mm x 6.0 mm 的 En-FCQFN 封装。
- 商品型号
- INN150EQ032A
- 商品编号
- C42405152
- 商品封装
- FCQFN-25(4x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.611667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 252A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 900pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ |