- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF混频器 | |
| RF频率范围 | 5GHz~30GHz | |
| IF频率范围 | 0Hz~10GHz | |
| LO频率范围 | 5GHz~30GHz | |
| 通道数 | - | |
| P1dB | 17dBm | |
| IP3 | 27dBm | |
| 隔离度(L-R) | 40dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 隔离度(L-I) | 50dB | |
| 增益/损耗 | -7dB | |
| 噪声系数 | - | |
| 工作电压 | - | |
| 工作电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
该器件是一款通用型双平衡混频器，采用无引线、符合RoHS标准的表面贴装技术封装，可在5 GHz至30 GHz频率范围内用作上变频器或下变频器。其中频端口具有0 GHz至10 GHz的宽带宽，便于灵活的频率规划以避免杂散产物。该混频器采用砷化镓单片微波集成电路工艺制造，无需外部元件或匹配电路。由于优化的巴伦结构，该器件提供了出色的本振至射频以及本振至中频抑制。混频器在典型本振幅度为19 dBm下工作。该符合RoHS标准的产品无需引线键合，允许使用表面贴装制造技术。该器件采用紧凑的4 mm × 4 mm、18端子焊盘栅格阵列封装，工作温度范围为-40℃ ~ +85℃。
商品特性
- 转换损耗：在15 GHz ~ 30 GHz范围内典型值为7 dB
- 输入三阶截点：在15 GHz ~ 30 GHz范围内典型值为27 dBm
- 输入二阶截点：在15 GHz ~ 30 GHz范围内典型值为50 dBm
- 输入1 dB压缩点：典型值为17 dBm
- 本振至射频隔离度：典型值为40 dB
- 本振至中频隔离度：在15 GHz ~ 30 GHz范围内典型值为50 dB
- 射频至中频隔离度：在15 GHz ~ 30 GHz范围内典型值为25 dB
- 18端子、符合RoHS标准、4 mm × 4 mm焊盘栅格阵列封装
应用领域
- 微波及甚小孔径终端无线电
- 测试设备